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Elaboration d’hétérostructures d’InN/InP et de semi-conducteurs III-V poreux : caractérisations physico-chimique, optique et électrique
Sana Ben Khalifa
figure
poreux
surface
gaas
auger
pic
d’inn
nitruration
d’indium
couches
électrons
substrat
structures
courant
photoluminescence
phosphore
tension
spectre
bombardement
ionique
l’échantillon
échantillon
résultats
échantillons
énergie
phys
signal
d’inp
spectres
propriétés
bande
atomes
chimique
l’énergie
tableau
l’inp
température
couche
modèle
indium
pores
spectroscopie
intensité
mesures
appl
conducteurs
électriques
nettoyage
faisceau
transition
言語:
french
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PDF, 5.29 MB
あなたのタグ:
0
/
0
french
2
Elaboration d’oxydes et de sulfures à grande bande interdite pour les cellules photovoltaïques à base de Cu(In,Ga)Se2 par dépôt chimique en phase vapeur par flux alternés (ALD) activé par plasma
Cathy Bugot
couches
plasma
cellules
croissance
minces
température
couche
cigs
zno
figure
propriétés
h2s
peald
synthèse
présente
composition
matériau
surface
d’oxygène
acac
cellule
d’in2
layer
mécanismes
procédé
zns
deposition
optique
précurseurs
tdep
vitesse
cycles
l’in2s3
in2s3
solar
atomic
films
procédés
tampon
synthétisées
tableau
in2
faibles
rendement
matériaux
suivant
h2o
l’influence
photovoltaïques
l’épaisseur
言語:
french
ファイル:
PDF, 8.51 MB
あなたのタグ:
0
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0
french
3
Spectroscopies sous haute pression et champ magnétique intense
Marius Millot
pression
quantiques
figure
magnétique
boîtes
photoluminescence
bandes
mesures
magnéto
phys
l’énergie
états
bande
haute
température
faible
l’évolution
propriétés
masse
mev
rubis
absorption
modèle
effective
transitions
confinement
l’exciton
transition
niveaux
inse
pics
d’absorption
valence
électronique
d’indium
d’énergie
conduction
luminescence
pic
spin
séléniure
résultats
trous
coefficient
maximum
spectre
landau
électrons
valeurs
déformation
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french
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PDF, 5.48 MB
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0
french
4
Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques et caractérisation de semi-conducteur III-As sur substrat silicium dans une plateforme microélectronique
Romain Cipro
gaas
silicium
figure
croissance
surface
d’antiphase
couche
substrat
parois
température
couches
puits
xas
densité
substrats
quantiques
d’inxga1
phys
matériaux
défauts
appl
dislocations
marches
recuit
growth
matériau
d’ingaas
sio2
ingaas
l’épaisseur
qualité
nucléation
croissances
epitaxie
grown
substrates
tampon
l’épitaxie
d’indium
maille
haute
µm
indium
étapes
composition
coupe
lignes
motifs
propriétés
quantique
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french
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PDF, 7.84 MB
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